삼성, 中 메모리 기술 추격 차세대 D램 기술 개발로 초격차 유지송재혁 삼성전자 DS부문 최고기술책임자(CTO) 사장이 서울 강남구 코엑스에서 열린 '반도체대전 2026'을 참관하고 있다. 2026. 10. 14/뉴스1 황진중 기자관련 키워드삼성전자송재혁CTO사장CXMTD램메모리AI황진중 기자 삼성전자 'zHBM vs SK하닉 'HBF' 전면에…AI 반도체 경쟁 '후끈'안현 SK하이닉스 사장 "HBM 용량 10배 HBF 개발…내년 1월 규격 마련"관련 기사노태문 삼성전자 대표, 자사주 상여금 57억…전영현 부회장 26억 수령송재혁 삼성전자 CTO "HBM5 미세공정 도입…1나노 한계 깰 것"TSMC 28년 물량까지 완판…삼성전자 파운드리 '유일한 대안' 러브콜삼성전자 전영현 56억·노태문 61억…이재용 회장 9년째 '무보수'"HBM4도 삼파전? 이번엔 다르다"…'HBM 반전' 삼성전자의 자신감
