D램, 3D 적층·맞춤형 제품 개발…속도·전력 효율 개선 과제낸드, HBM 보완 고성능 기술 모색…AI 데이터 처리 지원 확대SK하이닉스의 'HBM4' 제품 모습.(SK하이닉스 제공)/뉴스1유창식 성균관대 반도체융합공학과 교수가 15일 서울 강남구 코엑스에서 열린 제9회 반도체 산학연 교류 워크숍에서 'AI 시스템을 위한 D램 기술'을 주제로 발표하고 있다. 2026. 10. 15/뉴스1 황진중 기자D램과 연산 칩의 결합 방식이 기존 메모리 모듈에서 2.5차원(2.5D)·3차원(3D) 적층으로 발전하면서 데이터 전송 대역폭은 높아지고 전력 소모는 줄어드는 과정을 나타낸 그림(자료 유창식 교수)/뉴스1송기환 연세대 시스템반도체공학과 교수가 15일 서울 강남구 코엑스에서 열린 제9회 반도체 산학연 교류 워크숍에서 'AI향 낸드 설루션 트렌드'를 주제로 발표하고 있다. 2026. 10. 15/뉴스1 황진중 기자기존 고대역폭메모리(HBM) 8개를 탑재한 그래픽처리장치(GPU)(왼쪽)와 고대역폭플래시(HBF) 6개와 HBM 2개를 결합한 GPU의 메모리 용량 비교.(자료 송기환 교수)/뉴스1관련 키워드D램낸드플래시zHBMHBFHBM고대역폭메모리메모리황진중 기자 이강호 삼성 부사장 "파운드리 경쟁력, 첨단공정·기술 통합에 달려"LG전자, 뉴욕·런던서 기아 해결 캠페인…인도 학생 12만명 식사 지원관련 기사SK하이닉스, 28일 3Q 경영실적 발표…영업이익률 80% 달성 주목송재혁 삼성전자 CTO "中 CXMT 추진 4F² D램 기술, 우리도 개발 중"삼성전자 'zHBM' vs SK하닉 'HBF' 전면에…AI 반도체 경쟁 '후끈'中 YMTC, 낸드 출하량 세계 3위로…삼성·SK하이닉스 추격머스크, 삼전닉스 저격?…"메모리 회사들 폭리, 잊지 않겠다"
