데이터 배선 산화 막는 보호막 개발…접촉·채널저항 감소수직 D램 성능 저하 요인 개선…차세대 메모리 공정 기술 선도삼성전자 D램.(삼성전자 제공)/뉴스1삼성전자가 개발한 비트라인(BL) 위에 산화 방지막(AL)을 형성해 배선의 산화를 줄이고 전류 흐름을 개선하는 기술.(자료 미국 특허청)/뉴스1관련 키워드삼성전자삼성D램반도체메모리인공지능AI3D D램황진중 기자 "밝기 1.6배, 수명 2.4배" LG디스플레이 'FLiPP'의 비밀은 '이것'카운터포인트 "루빈 HBM4 12단 유지"…삼성·SK 호황 더 간다관련 기사로봇 D램 수요, 2030년까지 20배 증가…삼성전자·SK하닉 성장동력 확대SK하이닉스 이르면 28일 실적 공개…영업이익률 80% 돌파하나실적발표만 하면 하락하는 삼성전자…"우려 말고 숫자 봐라"카운터포인트 "루빈 HBM4 12단 유지"…삼성·SK 호황 더 간다'성과급 요구' 마이크론 대만 노조. 기습 파업 경고…美본사 대응 주목
