"HBM 전력 덜 쓰고 더 빠르게" 삼성, 美 특허…'맞춤형 HBM' 경쟁력↑

로직다이에 메모리 컨트롤러 통합…전송 지연·전력 소모 감소 기대

본문 이미지 - 삼성전자가 양산 중인 'HBM4'를 확대한 모습.(삼성전자 제공)/뉴스1
삼성전자가 양산 중인 'HBM4'를 확대한 모습.(삼성전자 제공)/뉴스1

본문 이미지 - 표준 HBM4(왼쪽)과 커스텀 HBM 구조 비교. 기존 HBM은 외부 반도체에 메모리 컨트롤러를 배치하지만 맞춤형 HBM은 하단 로직 베이스다이에 제어 기능을 통합해 데이터 이동 경로를 줄이도록 설계했다.(삼성전자 제공)/뉴스1
표준 HBM4(왼쪽)과 커스텀 HBM 구조 비교. 기존 HBM은 외부 반도체에 메모리 컨트롤러를 배치하지만 맞춤형 HBM은 하단 로직 베이스다이에 제어 기능을 통합해 데이터 이동 경로를 줄이도록 설계했다.(삼성전자 제공)/뉴스1

본문 이미지 - 삼성전자가 미국에서 등록한 고대역폭메모리(HBM) 제어 기술 미국 특허 도면. 기존 구조(위)는 메모리 컨트롤러가 HBM 외부에 배치돼 인터포저를 통해 데이터를 주고받지만, 새로운 구조(아래)는 HBM 최하단 로직다이에 컨트롤러를 통합해 적층 D램과 직접 통신하도록 설계했다./뉴스1
삼성전자가 미국에서 등록한 고대역폭메모리(HBM) 제어 기술 미국 특허 도면. 기존 구조(위)는 메모리 컨트롤러가 HBM 외부에 배치돼 인터포저를 통해 데이터를 주고받지만, 새로운 구조(아래)는 HBM 최하단 로직다이에 컨트롤러를 통합해 적층 D램과 직접 통신하도록 설계했다./뉴스1

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