
(서울=뉴스1) 김명섭 기자 = 삼성전자가 4~6일(현지시간)까지 미국 캘리포니아주 산타클라라 컨벤션센터에서 열리는 'FMS(Future of Memory and Storage) 2026'에 참가해 차세대 3D 메모리 아키텍처인 zHBM과 zNAND-O의 목업(Mock-up)을 업계 최초로 공개하고, AI 시대를 이끌 차세대 메모리 기술 비전을 제시했다고 5일 밝혔다. 사진은 이진엽 삼성전자 Flash개발실 부사장이 발표를 하고 있는 모습. (삼성전자 제공. 재판매 및 DB 금지) 2026.8.5/뉴스1
msiron@news1.kr
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