1000만 회 동작에도 안정적 성능 유지실리콘 CMOS와 3D 결합 컴퓨트 인 메모리 구현산소터널(Oxygen Tunnel) 구조를 적용한 산화물 수직채널트랜지스터 모습. (KAIST 제공. 재판매 및 DB금지) 2026.8.20/뉴스1KAIST 연구진. 뒷줄 왼쪽부터 이현진 연구원, 권지민 교수, 구현호 연구원, 정학순 박사, 이용우 박사, 앞줄 왼쪽부터 박민호 연구원, 조영민 박사, 양희수 연구원, 백승훈 연구원. (KAIST 제공. 재판매 및 DB금지) 2026.8.20/뉴스1관련 키워드KAISTAI 반도체수직 채널 트랜지스터산화물 반도체다층 층간 절연막산소 터널컴퓨트 인 메모리
