미국 실리콘밸리에 위치한 삼성 DS 미주총괄. (삼성전자 제공) © News1 강태우 기자

삼성전자가 미국 실리콘밸리에 위치한 반도체 미주총괄(DSA)에 최첨단 메모리 연구개발 조직을 신설하고 초격차 기술 경쟁력 확보에 나섰다. 

삼성전자(005930)는 지난 17일(현지시간) 차세대 D램을 개발하는 신규 조직인 'R&D-Dram Path Finding(D램 패스 파인딩)' 오픈식을 진행했다. 행사에는 어플라이드머트리얼즈(AMAT), 램리서치, KLA 등의 주요 경영진과 미국 UC버클리, 스탠퍼드 대학교 교수 등 반도체 석학들이 참석했다. 

현재 D램은 단일 평면에 셀이 촘촘히 배치된 2D(2차원) 구조다. 공정 선폭이 작아지면서 셀 면적 축소도 한계에 직면하고 있다. 

이에 업계는 셀을 수평으로 눕혀 위로 층층이 쌓아 올리는 방식과 셀 구조를 2단으로 쌓는 버티컬 방식 등을 활용해 차세대 기술 선점 경쟁을 벌이고 있다.삼성전자의 차세대 D램 연구개발 조직은 '3D(3차원) D램'을 선제적으로 연구 개발할 예정이다. 

앞서 삼성전자는 일본에서 열린 '2023년 VLSI 심포지엄'에서 3D D램의 연구 성과가 담긴 논문을 발표했다. 3D D램의 실제 반도체로 구현한 상세한 이미지를 제시하며 차세대 기술 개발 경쟁에서 앞서나가는 모습을 보였다는 평가다. 

지난 2013년 세계 최초로 3차원 수직구조 낸드(3D V-NAND)플래시 메모리 상용화에 성공한 경험을 바탕으로 D램에서도 3차원 수직 구조 개발을 선점한다는 목표다.

삼성전자 측은 "메모리 연구개발 조직을 중심으로 실리콘 밸리에서 우수 개발 인력을 적극 영입하고 다양한 반도체 생태계와 협력할 수 있을 것"이라고 전했다. 

삼성전자는 미주총괄에서 약 3시간 정도 떨어진 캘리포니아 폴섬(Folsom)시에 R&D(연구개발) 위성 오피스도 마련했다. 

폴섬은 인텔, 마이크론, 키옥시아 등 글로벌 기업들의 연구소가 자리한 지역으로, 우수 인재를 영입할 수 있는 장소로 주목받는다. 

개소식에 참석한 한진만 삼성전자 DS(반도체)부문 미주총괄(DSA) 부사장은 "클라우드 및 데이터센터 환경과 모바일·자동차 솔루션 혁신을 주도하는 '고급 컴퓨팅 연구소'(ACL)와 '고급 컨트롤러 개발팀'(ACD)이 있다"며 "현재 약 50명의 팀원이 근무하고 있으며 앞으로 더 늘어날 계획"이라고 전했다.

한진만 삼성전자 DS(반도체)부문 미주총괄(DSA) 부사장이 미국 폴섬시 삼성전자 R&D 오피스 개소식에서 커팅식을 하고 있다. (한진만 부사장 링크드인 캡처)

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