SK하이닉스, 美인디애나 HBM 팹 첫 삽…2029년 양산 돌입

(인디애나주 웨스트라피엣=뉴스1) 이훈철 특파원 = SK하이닉스(000660)가 인공지능(AI)의 핵심인 차세대 고대역폭메모리(HBM)의 '메이드 인 USA 시대'를 위한 첫 삽을 떴다.

SK하이닉스는 27일(현지시간) 오전 미국 인디애나주 웨스트라피엣에 위치한 퍼듀대학교에서 AI 메모리용 어드밴스드 패키징 공장 '인디애나 팹(FAB)' 기공식을 개최했다.

이날 행사에는 곽노정 SK하이닉스 대표이사를 비롯한 경영진과 주요 고객사·협력사 관계자, 인디애나주 관계자, 미 상무부 관계자, 강경화 주미한국대사 등이 참석했다. 미 정부는 물론 외신 기자들도 참석해 SK하이닉스의 미국 진출에 높은 관심을 보였다.

이번 인디애나 팹은 SK하이닉스가 미국에 짓는 첫 반도체 공장이다. SK하이닉스는 인디애나주 퍼듀대학교 소유 연구단지에 총 40억 달러(5조6000억 원) 이상을 투자해 차세대 HBM 생산을 위한 AI 메모리용 어드밴스드 패키징(후공정) 생산기지를 구축할 예정이다.

인디애나 팹 프로젝트는 SK하이닉스가 약 5조 원 넘게 투자하고 미국 정부가 반도체법(CHIPS Act)에 따라 최대 4억5000만 달러의 직접 보조금과 5억 달러 규모의 대출 지원을 통해 한미 합작투자로 추진되고 있다. SK하이닉스는 퍼듀대학교와 연구개발(R&D) 협력도 추진한다.

SK하이닉스는 인디애나 공장 건설을 위해 2024년 인디애나주에 법인을 신설하고 올해 4월 착공에 들어갔다.

SK하이닉스는 인디애나 공장을 엔비디아 등 미국 빅테크 기업들과의 HBM 생산 및 R&D 협력의 전초기지로 삼는다는 방침이다.

boazhoon@news1.kr