DB하이텍, 차세대 전력반도체 준비 속도…내년 1200볼트급 SiC 양산

(서울=뉴스1) 정윤미 기자 = DB하이텍(000990)이 8인치 웨이퍼 기반의 1200볼트(V)급 SiC 모스펫(MOSFET) 공정 신뢰성 검증을 완료했다고 9일 밝혔다. DB하이텍은 2027년부터 차세대 전력반도체 양산에 나선다는 계획이다.

SiC MOSFET는 실리콘보다 고온·고전압에 강한 차세대 소재(SiC)를 이용해 전류를 제어하는 전력 스위칭 소자(MOSFET)를 말한다.

현재 SiC 시장은 6인치가 주로 사용되며 원가 경쟁력을 높이기 위해 업계에선 8인치로 전환 중이다. 1200V급은 통상 전기차나 산업용 등 고전압 환경에서 사용하는 등급이다.

DB하이텍은 시장 변화에 선제적으로 대응해 고전력 MOSFET에 최적화된 8인치 SiC 공정 기술 개발을 지속해서 고도화했다.

파운드리 서비스 체계도 갖췄다. 특히 세계 최초로 8인치 1200V SiC 파운드리 일괄공정을 구축해 설계부터 제조, 특성평가 및 신뢰성 검증까지 지원할 수 있도록 했다.

DB하이텍은 8인치 SiC 파운드리 사업을 본격화하기 위해 자체 개발한 1세대와 2세대 1200V SiC MOSFET 공정설계키트(Process Design Kit·PDK)를 고객에게 제공한다. 오는 11월에는 3세대 PDK도 출시할 예정이다.

올해 3분기에는 다년간 협업해 온 파운드리 고객에 우선 출시 및 공정 준비를 완료할 계획이며, 2027년 2분기부터는 모든 고객에 서비스를 제공할 예정이다.

younme@news1.kr