SK하이닉스, 2028년 D램 공정에 High NA EUV 적용

(서울=뉴스1) 박기호 기자 = SK하이닉스(000660)가 오는 2028년 D램 공정에 'High(하이) NA EUV' 장비를 도입, 양상 적용을 추진 중이다. SK하이닉스는 TSMC가 주도하는 '대형 마스크 컨소시엄(Large Size Mask Consortium)' 참여도 검토 중이다.

8일 로이터에 따르면 SK하이닉스는 성명을 통해 12인치 포토 마스크 도입과 관련한 컨소시엄 참여를 검토하고 있다고 밝혔다. 또한 2028년 하이 NA EUV 공정을 D램 양산에 적용하는 것을 목표로 하고 있다고 덧붙였다.

High NA EUV는 기존 EUV보다 더 큰 NA(개구수·렌즈가 빛을 얼마나 많이 모을 수 있는지 나타내는 수치)를 적용, 해상도를 크게 향상시킨 차세대 노광 장비다. 현존 가장 미세한 회로 패턴 구현이 가능해 선폭 축소 및 집적도 향상에 핵심 역할을 할 것으로 기대되는 기술이다.

반도체 제조업체가 생산성과 제품 성능을 높이려면 미세 공정 기술 고도화가 필수다. 회로를 더 정밀하게 구현할수록 웨이퍼당 칩 생산량이 늘어나고 전력 효율과 성능도 함께 개선되기 때문이다.

SK하이닉스는 2021년 10나노급 4세대(1anm) D램에 EUV를 첫 도입한 이후 최첨단 D램 제조에 EUV 적용을 지속 확대해 왔다. 하지만 미래 반도체 시장에서 요구될 극한 미세화와 고집적화를 위해서는 기존 EUV 장비를 넘어서는 차세대 기술 장비가 필요하다.

SK하이닉스는 이 장비 도입을 통해 기존 EUV 공정을 단순화하고 차세대 메모리 개발 속도를 높여 제품 성능과 원가 경쟁력을 동시에 확보할 방침이다.

SK하이닉스는 또 TSMC가 네덜란드 반도체 노광설비 기업 ASML 등과 추진 중인 '대형 마스크 컨소시엄' 참여도 검토하고 있다.

TSMC는 ASML과 반도체 산업의 대형 극자외선(EUV) 리소그래피 포토마스크로의 전환을 주도하기 위한 협력 계획을 발표했다.

현재 사용 중인 6인치 마스크를 활용한 생산에 고해상도 EUV(High NA EUV) 기술이 도입될 예정이다. 더 큰 12인치 마스크로의 전환은 반도체 공장의 생산성을 더욱 향상시키고, 칩 제조 비용을 절감할 수 있을 것으로 기대된다. 이를 통해 첨단 칩 제조업체들은 고해상도 EUV의 장점을 최대한 활용해 차세대 최첨단 칩을 더욱 비용 효율적으로 생산할 수 있게 될 것으로 예상된다.

'대형 마스크 컨소시엄'은 현재 반도체 노광설비에 사용되는 6인치를 12인치로 전환하기 위한 협의체다. 노광설비와 포토 마스크 관련 글로벌 기술 동향을 함께 모니터링하고 12인치 포토 마스크 개발을 목표로 공동 연구, 표준 개발 등의 협력 활동을 펼칠 계획이다. 삼성전자 역시 컨소시엄에 참여하기로 한 상태다.

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