포스텍 박홍준 교수·삼성전자 김선정 상무, '2026년 강대원 상' 수상

(서울=뉴스1) 원태성 기자 = 한국반도체학술대회 상임운영위원회는 '2026년 강대원 상' 수상자로 회로·시스템 분야에 박홍준 포항공과대학교(POSTECH) 교수, 소자·공정 분야에 김선정 삼성전자 상무를 각각 선정했다고 28일 밝혔다. 시상식은 이날 강원도 하이원그랜드호텔에서 열리는 '제33회 한국반도체학술대회(KCS 2026)' 개막식에서 진행된다.

강대원 상은 세계 최초로 MOSFET(모스펫)을 개발해 현대 반도체 기술의 기틀을 마련한 고(故) 강대원 박사의 업적을 기리기 위해 제정된 상이다. 2017년 첫 제정 이후 반도체 학술·산업 발전에 기여한 연구자와 기술자를 선정해 시상하고 있다.

회로·시스템 분야 수상자인 박홍준 교수는 지난 30여 년간 아날로그 집적회로, 특히 메모리 분야의 고속 칩 간 인터페이스 회로 연구를 선도해 온 세계적 석학으로 평가받는다. 고속 데이터 통신과 저전력 설계, 위상 동기화 회로 등 다양한 영역에서 이론적 완성도와 실용성을 겸비한 연구 성과를 제시해 왔다.

특히 메모리 인터페이스 분야에서 고속 데이터 전송 시 발생하는 신호 손실을 보상하는 등화(equalization) 기술을 세계 최초로 제안하며 관련 연구의 새로운 방향을 제시했다. 박 교수의 고속 인터페이스 회로 기술은 차세대 D램과 시스템온칩(SoC)의 데이터 전송 속도 향상과 저전력화에 기여했으며, 삼성전자와 SK하이닉스 등 글로벌 반도체 기업들이 메모리 인터페이스 경쟁력을 확보하는 데 기술적 기반을 제공했다는 평가를 받는다.

소자·공정 분야 수상자인 김선정 상무는 반도체 트랜지스터 공정과 물질과학 분야에서 학술적 성과와 산업 적용을 동시에 이끈 연구자로 꼽힌다. 김 상무는 High-k 유전막 기반 소자 공정 연구로 2005년 국제 학회 VLSI 심포지엄에서 베스트 스튜던트 페이퍼상을 수상하며 차세대 게이트 스택 기술의 가능성을 제시했다.

이후 IEEE 전자소자학회(EDS) 대학원 펠로십을 수상하는 등 국제 학계에서도 연구 역량을 인정받았다. 2023년에는 선단 로직 소자의 핵심 기반 기술인 에피택시(Epitaxy) 기술 혁신 공로로 IR52 장영실상을 수상하며 학술 성과가 산업 기술로 확장될 수 있음을 입증했다.

김 상무는 삼성전자에서 2나노미터(nm) 공정 기반의 GAA(Gate-All-Around) 기술 개발을 주도하며 차세대 선단 공정의 완성도와 신뢰성을 높이는 데 기여했다. 특히 GAA 구조 구현에 필요한 핵심 단위 공정과 계측 기술을 정립하는 과정에서 국내외 장비·소재 기업과 공동 개발을 추진해 관련 공급망의 기술 경쟁력 강화에도 힘썼다는 평가다.

한편 제33회 한국반도체학술대회는 한국반도체산업협회, 한국반도체연구조합, DB하이텍이 공동 주관해 27일부터 30일까지 나흘간 강원도 하이원그랜드호텔에서 열린다. 이번 학술대회에는 삼성전자, SK하이닉스, DB하이텍 등 주요 반도체 기업을 포함해 산·학·연 전문가와 학생 등 4500여 명이 참석한다.

khan@news1.kr