삼성전자, HBM4 생산량 20% 늘린다…D램 月 최대 12만장 증설

(서울=뉴스1) 최동현 기자 = 삼성전자(005930)가 6세대 고대역폭메모리(HBM4) 생산능력을 20% 확대한다. 반도체 시장이 수요가 공급을 압도하는 '하이퍼-불'(초강세장)에 진입한 가운데, 최대 격전지인 HBM4의 생산량을 확 늘려 시장 지배력을 쥐겠다는 구상으로 풀이된다.

5일 업계에 따르면 삼성전자는 내년 1분기까지 경기도 평택 4공장(P4)에 월 10~12만 장의 웨이퍼를 생산할 수 있는 D램 생산 라인을 추가 구축한다는 내부 계획을 수립한 것으로 알려졌다. 증설 라인은 HBM4에 들어가는 1c D램용인 것으로 전해진다.

삼성전자의 D램 웨이퍼 생산량은 현재 월 66만 장 수준이다. 내년 1분기 D램 생산 라인 구축이 완료되면 1년 만에 생산 능력이 최대 18% 증가한다. 업계에선 P4 라인 증설에 수십조 원이 투입될 것으로 본다.

HBM4 생산 비중도 확 늘어난다. 삼성전자는 지난해까지 월 6~7만 장의 1c D램 웨이퍼 생산라인을 구축했던 것으로 전해진다. 여기에 최대 12만 장이 추가되면, 전체 생산 능력(약 78만 장) 중 HBM4용 D램의 비중(약 20만 장)은 25%를 차지한다는 계산이 나온다.

삼성전자가 HBM 캐파 확대에 사활을 건 이유는 반도체 시장이 전대미문의 황금기에 진입했기 때문이다. 지난해 3분기 HBM3E(5세대)를 엔비디아에 공급하며 반등 모멘텀을 쥔 삼성전자는 HBM4에 '메모리 주도권' 탈환을 노리고 있다.

업계 관계자는 "6세대(HBM4)는 삼성전자와 SK하이닉스의 시장 장악이 예고돼 있다"며 "기술력이 입증된 상황이라면 캐파(생산량)가 많은 쪽이 시장 점유율을 키우는 관건"이라고 말했다.

dongchoi89@news1.kr