GIST 조용륜 박사 '차세대 반도체 배선 소재 제어 기술' 사이언스 게재

(광주=뉴스1) 조영석 기자 = 광주과학기술원(GIST)은 중앙기기연구소(GIST) 조용륜 박사가 삼성전자 및 미국 매사추세츠공과대학교 연구진과 함께 수행한 연구 논문이 세계적 학술지 '사이언스(Science)'에 게재​됐다고 21일 밝혔다.

미량의 탄소를 '일시적 결정 성장 촉진제'로 활용해 비정질 절연 기판 위에서도 금속 결정의 방향을 정밀하게 정렬하는 기술​을 개발하고, 이를 통해 차세대 반도체 초미세 배선의 전기저항을 크게 낮출 수 있음을 확인한 연구논문이다.

조 박사는 이번 연구에 공동1저자로 참여해 실험 설계와 수행, 투과전자현미경(TEM)을 활용한 실시간 미세구조 분석, 데이터 분석 및 시각화, 연구 결과 해석 등에 기여했다.

조 박사는 "연구는 금속 속 미량 원소를 단순히 제거해야 하는 불순물이 아니라, 결정립의 이동과 정렬을 유도한 뒤 빠져나가는 일시적 촉진제로 활용할 수 있음을 보여줬다"며 "특히 차세대 반도체 배선 소재의 구조와 전기적 성능을 함께 제어할 수 있는 새로운 설계 원리를 제시했다"고 말했다.

연구 결과는 '사이언스'에 지난 13일 온라인으로 게재됐다.

kanjoys@news1.kr