전자통신연, 미 아르곤연구소와 반도체 기술 협력 추진

폴 컨스 아르곤국립연구소 디렉터(왼쪽)와 방승찬 ETRI 원장이 반도체 기술 협력 MOU 체결 후 기념촬영을 하고 있다.(ANL 제공)/뉴스1
폴 컨스 아르곤국립연구소 디렉터(왼쪽)와 방승찬 ETRI 원장이 반도체 기술 협력 MOU 체결 후 기념촬영을 하고 있다.(ANL 제공)/뉴스1

(대전=뉴스1) 김태진 기자 = 국내 연구진이 미국 에너지부 산하의 아르곤국립연구소(ANL)와 반도체 기술 연구를 위한 협력을 본격적으로 추진한다.

한국전자통신연구원(ETRI)은 지난 6일 미국 일리노이주에 위치한 아르곤국립연구소에서 ANL과 반도체 기술 개발을 위한 상호 협력 체계를 구축하기로 합의했다고 17일 밝혔다.

ETRI는 고에너지 입자 검출기용 실리콘 디텍터 개발 및 제작 기술을 보유하고 있으며, 실리콘 일괄공정이 가능한 국내 유일의 정부출연연구기관이다.

ANL은 2023년부터 상보적 금속산화물 반도체(CMOS) IC가 집적된 실리콘 검출기(MAPS) 제작을 위해 ETRI와 협력을 추진해 왔다.

양 기관은 이번 협력 체계 구축을 계기로 우주 환경에서 발생하는 고에너지 입자를 검출·분석하기 위한 새로운 반도체 기술 개발에 힘을 모을 예정이다.

폴 컨스 ANL 디렉터는 “전자이온충돌기 뿐만 아니라 향후 다양한 기술 분야로 협력을 확대함으로써 양 국가 간 기술 발전에 밑거름이 되길 희망한다”고 했다.

방승찬 ETRI 원장은 “반도체 분야 협력을 위한 이번 업무협약은 ANL의 연구 역량과 ETRI의 기술력이 결합해 미래를 향한 새로운 도약의 기회를 열어줄 것으로 기대한다”고 말했다.

memory4444444@news1.kr