SK하닉 "추격 불가" vs 삼성 "3배 확대"…HBM4 '혈투' 불꽃

(서울=뉴스1) 최동현 박주평 원태성 기자 = 삼성전자(005930)와 SK하이닉스(000660)가 지난해 반도체 '하이퍼 불'(초강세장)에 힘입어 나란히 사상 최대 실적을 경신한 데 이어 올해 최대 격전지로 부상한 6세대 고대역폭메모리(HBM4)를 놓고 혈투를 예고했다.

글로벌 HBM 시장을 과점 중인 SK하이닉스는 경쟁사의 단기 추격을 허용하지 않는 '압도적 경쟁력'을 내세웠고, HBM 사업이 본궤도에 오른 삼성전자는 올해 HBM 매출의 3배 확대를 자신했다.

SK하이닉스는 29일 지난해 4분기 실적발표 콘퍼런스콜에서 HBM4와 관련해 ""고객사들과 인프라 파트너사들의 당사 제품에 대한 선호도와 기대 수준이 굉장히 높다. 당사의 제품을 최우선으로 요구하는 상황"이라며 "HBM4 역시 HBM3나 HBM3E와 마찬가지로 압도적 시장 점유율을 목표로 한다"고 밝혔다.

SK하이닉스는 HBM4를 한창 양산 중이다. 회사 관계자는 "기존 제품에 적용 중인 1b 공정 기반으로도 고객 요구 성능을 구현했다는 점은 매우 큰 성과"라며 "단순히 기술을 앞서는 수준을 넘어 우리가 쌓아온 양산 경험과 품질에 대한 고객 신뢰는 단기간에 초월할 수 없는 영역"이라고 HBM4의 차별적 경쟁력을 강조했다.

삼성전자도 HBM4의 2월 양산을 공식화했다. 삼성전자는 이날 콘퍼런스에서 "고객들로부터 (HBM4의) 차별화 성능과 경쟁력을 확보했다는 피드백을 받았고, 현재 퀄(품질 테스트) 완료 단계에 진입했다"면서 "2월부터 최상위 11.8Gbps 제품을 포함한 HBM4 양산 출하가 예정돼 있다"고 말했다.

차세대인 HBM4E 12단(7세대)은 올해 중반기 스탠더드 제품을 중심으로 고객사에 샘플을 공급한다는 로드맵도 내놨다. HBM 4E 코어다이 기반의 맞춤형 HBM 제품은 하반기 고객 일정에 맞춰 웨이퍼(반도체 원판) 초도 투입을 전개할 예정이다.

삼성전자는 "올해 HBM 매출은 전년 대비 3배 이상 대폭 개선될 전망"이라며 적극적인 시장 점유율 확대 의지도 내비쳤다. SK하이닉스가 한발 앞서 '압도적 점유율'을 언급한 것을 고려하면, 국내 메모리 '투톱'의 HBM 시장 경쟁이 치열할 전망이다.

삼성전자와 SK하이닉스는 경쟁적인 설비투자(CAPEX·캐펙스) 확대도 예고했다. 글로벌 메모리 시장은 급격한 가격 상승에도 인공지능(AI) 수요가 폭발적으로 늘면서 올 하반기로 갈수록 재고가 부족한 '쇼티지'(공급 부족)가 심화할 전망이다. 이에 시장 수요에 대응할 수 있는 생산능력(CAPA)이 화두로 부상하고 있다.

SK하이닉스는 올해 시장 전망에 대해 D램은 20% 이상, 낸드 플래시는 10% 후반대 수요 증가를 예상하면서 "캐펙스는 생산력 확대와 공정 전환 가속화, 미래 인프라 준비를 위한 투자 확대로 전년 대비 상당한 수준으로 증가할 것"이라고 밝혔다. 매출액 대비 30% 중반 수준의 설비 투자 원칙을 차질 없이 유지하겠다는 방침이다.

삼성전자도 대대적인 설비투자를 계획 중이다. 삼성전자는 "올해 캐펙스는 전년 대비 상당 수준 증가할 계획"이라며 "선제적인 투자를 통해 신규 팹 및 클린룸을 선행 확보했기에 해당 공간을 활용하기 위한 설비투자가 증가할 예정"이라고 했다.

구체적으로 "신규 팹 스페이스 투자를 선행해 클린룸을 확보하고 증산이 필요한 시점에 설비투자를 실행할 것"이라며 "미래 기술 리더십 제고를 위해 차세대 반도체 R&D 단지 조성을 위한 투자도 집행해 D램은 1C 나노, 낸드는 V9을 중심으로 캐파 확보를 지속할 계획"이라고 했다.

dongchoi89@news1.kr