檢, 삼성·SK하닉 D램 핵심기술 中업체 넘긴 前삼성 임직원 무더기 기소

(서울=뉴스1) 정윤미 기자 = 삼성전자가 세계 최초로 개발한 10나노대 D램 국가 핵심 기술을 중국 창신메모리(CXMT)에 불법 유출하고 부정 사용해 최종 양산까지 성공하도록 도운 전직 삼성전자 임직원 일당을 무더기로 적발해 재판에 넘겼다.

서울중앙지검 정보기술범죄수사부(부장검사 김윤용)는 CXMT 1기 개발실장 A 씨(58)와 같은 팀에서 설비투자를 담당한 B 씨(57) 등 핵심 개발 인력 5명을 산업기술보호법 위반(국가핵심기술국외유출등), 부정경쟁방지법 위반(영업비밀국외누설등) 혐의로 구속기소 했다고 23일 밝혔다.

A 씨는 삼성전자 부장 출신으로 CMXT에서 1기 개발팀을 총괄한 것으로 조사됐다. A 씨는 지난해 1월 구속기소 돼 2심에서 징역 6년을 선고받고 상고심 재판 중에 이날 추가 기소됐다.

B 씨는 삼성전자 연구원 출신으로 A 씨와 함께 초기 범행을 총괄한 것으로 파악됐다.

검찰은 CXMT 2기 개발팀 파트별 근무자 5명에 대해서도 불구속기소 했다.

검찰에 따르면 A 씨 등은 2016년 9월쯤 삼성전자에서 CXMT로 이직한 C 씨를 통해 삼성전자의 국가 핵심기술이자 영업비밀인 18나노 D램 공정 정보를 불법 취득해 D램 개발에 부정 사용한 혐의를 받는다.

삼성전자 연구원이던 C 씨는 D램 공정 기술의 가장 핵심적인 정보를 종이에 자필로 적어서 CXMT에 유출한 것으로 검찰은 의심하고 있다. 현재 중국 현지에서 체류 중이어서 검찰은 신병 확보를 위해 중국 당국에 인터폴 적색수배를 요청한 상태다.

CMXT 2기 개발팀을 총괄한 전직 삼성전자 임원 D 씨(63·구속기소) 등은 1기 개발팀으로부터 삼성전자의 18나노 D램 공정 정보를 전달받아 2018년 2월부터 2023년 초쯤까지 중국 설비에 맞도록 수정하고 검증해 D램을 개발한 혐의를 받는다.

CMXT의 클린 공정을 담당한 E 씨(56·불구속)는 2020년 6월 국내 SK하이닉스 협력업체 및 CMXT에 반도체 장비 납품업체를 통해 SK하이닉스의 국가 핵심 기술이자 영업비밀인 D램 공정 정보를 불법 취득한 혐의를 받는다.

검찰은 A 씨에 대한 반도체 장비 기술 유출 사건 수사 중 A 씨가 CMXT 근무 당시 삼성전자의 국가 핵심기술을 유출·취득한 정황을 발견하고 2024년 1월 직접 수사에 착수했다.

그 결과 중국 현지에서 이뤄진 개발 전 과정의 범행을 확인하고 CMXT가 2016년 5월 설립 직후 당시 삼성전자의 핵심 인력을 영입해 기술 확보 계획을 수립한 사실을 확인했다.

또한 C 씨가 CMXT로 이직하면서 수백 단계의 공정 정보를 베껴 적어 유출한 사실, CXMT는 개발 과정에서 SK하이닉스 국가 핵심기술을 추가로 확보하고 해당 정보들을 중국 설비에 맞도록 지속해서 수정·검증함으로써 2023년 중국 최초로 D램 양산에 성공한 사실을 확인했다.

검찰 관계자는 "CMXT가 범행을 통해 세계 최고 수준의 D램 공정 기술을 확보해 고대역폭 메모리(HBM) 개발을 위한 발판을 마련하는 등 이로 인한 삼성전자 등의 손해는 최소 수십조 원으로 예상된다"고 지적했다.

그러면서 "앞으로도 서울중앙지검은 국가 경제 및 기술 안보에 직접 영향을 미치는 국가 핵심기술의 국외 유출 범죄에 엄정 대응하겠다"고 밝혔다.

한편, 재계에서는 경제 안보를 위협하는 국가 핵심 기술 유출을 막기 위한 '경제 간첩죄'를 도입해야 한다고 목소리를 높이고 있다.

재계 관계자는 "국내 핵심기술과 기업의 첨단 지식 재산권을 겨냥한 해외 기술 탈취가 반복되면서 이를 경제 안보 침해 차원이 아닌 일반 산업 범죄로만 다루는 현행 법·제도는 한계가 있다"고 지적했다.

그러면서 "경제 간첩죄 도입으로 기술 유출 범죄에 대한 처벌 수위와 수사 권한을 대폭 강화해 해외 정보기관과 외국 자본이 겸비한 조직적 산업 스파이 행위를 사전에 차단해야 한다"고 강조했다.

younme@news1.kr