'중국에 반도체 기술 유출' 삼성전자 前 부장, 1심 징역 7년·벌금 2억

(서울=뉴스1) 노선웅 기자 = 반도체 핵심 기술을 해외 경쟁기업으로 유출한 혐의로 구속기소 된 전(前) 삼성전자 부장이 1심에서 징역 7년을 선고받았다.

서울중앙지법 형사합의25부(부장판사 지귀연)는 19일 삼성전자 전직 부장 김 모 씨의 산업기술의 유출 방지 및 보호에 관한 법률 위반 등 혐의 1심 선고기일을 열고 김 전 부장에게 징역 7년과 벌금 2억 원을 선고했다.

같은 혐의로 함께 재판에 넘겨진 협력업체인 반도체 장비 생산업체 A사 전 직원 방 모 씨와 김 모 씨에게는 징역 2년 6개월, 징역 1년 6개월의 실형을 각각 선고했다. 나머지 공범들에 대해선 징역형 집행유예를 선고했다.

재판부는 이들의 영업비밀 유출 관련 혐의를 대부분 유죄로 판단하며 일부 기술자료의 사용에 관한 죄만 성립한다고 주장한 피고인들의 주장은 받아들이지 않았다.

다만 핵심 장비 기술을 빼돌려 이를 사용했는지와 관련해서는 관련 도면이나 자료 등이 확인되지 않는다며 무죄로 판단했다.

재판부는 "김 전 부장은 국가 핵심기술에 해당하는 삼성전자 18나노 D램 공정 정보를 부정 취득해 이를 공개, 누설, 사용하는 데까지 나아갔다"며 "이는 건전한 경쟁을 심각히 저해하고 이를 만든 피해 회사의 막대한 시간과 비용을 헛되게 할 뿐 아니라 실제로 대한민국 국가산업 경쟁력에 큰 악영향을 줄 수 있는 중대한 범죄"라고 지적했다.

이어 "피해회사 손해 역시 결코 가볍지 않다. 특히 삼성전자 측 제출 자료 관련 내용과 검사 주장 등을 종합하면 18나노 D램 개발 후 양산에 성공하는 데 들인 비용과 지금 와서 중국 경쟁업체가 이를 개발 후 양산에 성공해 이른 점 등을 감안했을 때 삼성전자가 입은 피해는 어마어마한 액수에 이를 것으로 쉽게 예상할 수 있다"고 밝혔다.

아울러 "김 전 부장은 범행을 주도하는 등 다른 피고인에 비해 죄질, 비난 가능성이 크다"며 "주도적으로 다른 피고인을 포섭해 이 사건 범행에 이르게 만든 장본인이란 점을 고려해야 마땅하다"고 강조했다.

다만 재판부는 경쟁회사가 18나노 D램 개발 및 급속 성장이 김 전 부장의 범행 때문만으로 인한 것인지는 명확하지 않다는 점, 벌금형을 초과하는 형사처벌 전력이 없다는 점 등을 유리한 정상으로 봤다.

김 전 부장은 재판에서 전체적인 혐의를 부인해 왔다.

방 씨·김 씨의 변호인은 "사실관계는 상당 부분 인정한다"면서도 "영업비밀에 해당하는지 등 구체적인 법리를 다투겠다"고 주장해 왔다.

이들은 국가 핵심기술인 삼성전자의 18나노 D램 반도체 공정 정보를 무단 유출해 중국 반도체업체 창신메모리테크놀로지(CXMT)에 넘긴 혐의를 받는다.

CXMT가 반도체 증착장비 개발을 확정하자 A사 첨단기술인 설계 기술자료를 무단 유출한 혐의도 있다.

검찰은 이들이 2016년 신생 업체인 CXMT로 이직하면서 기술을 유출하고 그 대가로 수백억원대 금품을 수수한 것으로 보고 지난해 1월 이들을 구속기소 했다.

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