경북대 연구팀, 질화갈륨 반도체 성능↑…'700GHz 장벽' 최초 돌파

(대구=뉴스1) 남승렬 기자 = 경북대 연구팀이 질화갈륨(GaN) 반도체 분야에서 700GHz 주파수 장벽을 돌파하는 성과를 냈다.

23일 경북대에 따르면 이 대학 전자공학부 김대현 교수팀은 최대 발진 주파수(fmax) 742GHz를 기록한 45나노미터(nm)급 GaN 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT)를 개발했다.

GaN HEMT에서 최대 발진 주파수가 700GHz를 초과한 것은 세계 최초라고 경북대는 설명했다.

이번 연구 결과는 최근 미국 하와이 호놀룰루에서 열린 반도체 분야 국제학술대회인 'VLSI 심포지엄 2026'에서 공개됐다.

VLSI 심포지엄은 세계 3대 반도체 학회 중 하나로, 최첨단 반도체 소자 및 회로 기술 분야의 대표적인 국제학술대회로 평가받고 있다.

김 교수는 "이번 연구는 GaN HEMT의 성능 한계를 한 단계 끌어올린 결과로, 세계 최초의 700GHz급 최대 발진 주파수 달성을 통해 GaN 반도체의 초고주파 응용 가능성을 실증한 것"이라고 말했다.

pdnamsy@news1.kr