DB하이텍, 일렉트로니카 인디아 2026 첫 참가…인도 시장 공략
9월 16~18일 남아시아 대표 전자산업 전시회 참가
BCD∙SiC∙GaN 전력반도체 공정 기술 소개…신규 고객 발굴
- 김진희 기자
(서울=뉴스1) 김진희 기자 = DB하이텍은 9월 16~18일(현지시간) 인도 벵갈루루에서 열리는 '일렉트로니카 인디아(electronica India) 2026'에 참가해 인도 시장 공략에 나선다고 20일 밝혔다.
일렉트로니카 인디아는 '인도의 실리콘밸리'로 불리는 벵갈루루에서 열리는 남아시아 대표 전자산업 전시회로 전자부품과 시스템, 애플리케이션 및 관련 설루션을 아우른다.
DB하이텍은 이번 전시회에서 주력인 BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)를 비롯해 차세대 전력반도체 실리콘카바이드(SiC)와 질화갈륨(GaN) 등 주요 공정 기술과 개발 현황을 소개하고 현지 팹리스 기업을 중심으로 신규 고객 발굴에 나설 계획이다.
BCD는 아날로그 제어(Bipolar), 디지털 로직(CMOS), 고전압 전력(DMOS) 소자를 하나의 칩에 통합하는 전력반도체 제조 기술이다. DB하이텍 전체 매출의 70%가량을 차지한다.
DB하이텍은 최근 인도 정부의 적극적인 반도체 생태계 확대 흐름에 발맞춰 현지 팹리스와의 사업 협력을 강화하고 있다. 이번 전시회를 계기로 잠재 고객과의 접점을 넓혀 나갈 계획이다.
전시회에서는 DB하이텍이 경쟁력을 확보한 전력반도체 공정 기술을 중점적으로 선보인다. 대표 공정인 BCD는 누적 웨이퍼 출하량 900만 장을 기록했다. 축적된 양산 경험과 공정 경쟁력을 기반으로 자동차·산업 등 고부가가치 응용 분야를 지속 확대하고 있다.
차세대 전력반도체 분야에서는 SiC와 GaN 공정 개발 현황 및 양산 로드맵을 소개한다. DB하이텍은 최근 1200V SiC MOSFET 공정의 검증(Qualification)을 완료했으며 650V GaN 공정은 올해 12월까지 검증을 완료할 계획이다. 현재 전략 고객을 대상으로 해당 공정을 활용한 제품의 성능 평가도 진행 중이다.
이와 함께 X-ray, 글로벌 셔터(Global Shutter), 단일광자 포토다이오드(SPAD) 등 이미지센서(Specialty CIS)와 혼합신호·무선주파수(Mixed-Signal/RF) 등 다양한 특화 공정 기술도 소개하며 현지 고객 기반을 확대할 예정이다.
DB하이텍 관계자는 "인도는 현지 팹리스와 반도체 생태계가 빠르게 성장하며 새로운 사업 기회가 확대하는 시장"이라며 "이번 일렉트로니카 인디아 참가를 통해 현지 고객과의 접점을 넓히고 전력반도체 및 특화 공정 경쟁력을 기반으로 신규 사업 기회를 지속 발굴해 나갈 것"이라고 말했다.
jinny1@news1.kr
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