[IR]SK하이닉스 "1c D램 공정, HBM4E에 적용해 적기 개발"

(서울=뉴스1) 한재준 박주평 기자 = SK하이닉스(000660)는 23일 2024년도 4분기 실적 발표 콘퍼런스콜에서 "10나노 6세대(1c) 공정은 올해 하반기부터 일반 D램에 적용해 양산을 시작한다"면서도 "올해 투자의 상당 부분이 고대역폭메모리(HBM)와 인프라 투자에 집중될 예정이어서 향후 공급 상황을 예상해 램프업을 위한 투자를 계획하고 있다"고 밝혔다.

이어 "1c 나노 공정을 향후 7세대 HBM(HBM4E)에 적용해 적기 개발과 공급으로 시장 리더십을 유지하겠다"고 설명했다.

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