HBM 호황에 D램 업계 연말 첨단공정 웨이퍼 35% 할당 전망

(서울=뉴스1) 한재준 기자 = D램 업계가 고대역폭메모리(HBM) 생산능력을 확대하면서 올해 말 첨단공정 웨이퍼 투입량의 35%를 HBM이 차지할 거란 전망이 나왔다.

21일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 SK하이닉스(000660)와 삼성전자(005930), 마이크론이 5세대 제품인 HBM3E 생산량을 늘리면서 실리콘관통전극(TSV) 용량을 기준으로 HBM에 첨단공정 웨이퍼 35%가 할당될 것으로 예상된다.

HBM은 D램을 여러개 쌓은 뒤 미세한 구멍을 뚫고 연결해 만든다. 고난이도의 패키징 공정을 거쳐야 하는 만큼 수율이 50~60% 수준에 불과하고 웨이퍼 투입량도 일반 D램보다 60% 많다. 그럼에도 인공지능(AI) 붐으로 인한 HBM 수요 증가와 이로 인한 가격 상승으로 D램 업계가 HBM 생산 확대를 우선시하고 있다고 트렌드포스는 설명했다.

HBM은 물론 PC·스마트폰, AI서버에 쓰이는 더블데이터레이트(DDR)5 및 LPDDR5 제품에 대한 수요도 늘어나고 있지만 하반기 HBM3E 출하량이 늘어나면서 나머지 D램의 공급 부족이 발생 가능성도 예상된다.

트렌트포스는 "업계의 HBM 생산 집중으로 인해 첨단 공정 설비가 충분히 확보되지 않는다면 D램 공급 부족이 발생할 수 있다"고 설명했다.

hanantway@news1.kr