삼성전자, 파운드리 28나노 FD-SOI 공정기반 'eM램' 출하

(서울=뉴스1) 주성호 기자 = 삼성전자가 '28나노 FD-SOI(완전공핍형 실리콘 온 인슐레이터)' 공정 기반의 임베디드 M램을 공식 출하하며 반도체 파운드리(위탁생산) 리더십 강화에 나선다.

삼성전자는 6일 기흥캠퍼스에서 28나노 FD-SOI 공정 기반 eM램(embedded Magnetic Random Access Memory) 양산 제품 첫 출하 기념식을 진행했다고 밝혔다.

FD-SOI 공정은 반도체 원재료인 실리콘 웨이퍼 위에 절연막을 씌워 누설 전류를 줄이는 기술이다. M램은 D램의 빠른 데이터 처리 속도에다가 전원을 꺼도 데이터가 저장되는 낸드플래시의 비휘발성을 적합한 메모리 반도체다.

삼성전자 관계자는 "두 기술을 합쳐 전력을 적게 소모하면서도 속도가 빠르고 소형화가 쉬운 차세대 내장 메모리"라고 설명했다.

삼성전자 파운드리사업부는 SoC(System on Chip)에 이 제품을 결합해 파운드리 분야 기술 리더십을 강화했다고 밝혔다.

이번에 출하된 내장형(embedded) 메모리는 IoT 기기 같은 소형 전자제품에 사용되는 MCU(Micro Controller Unit)과 SoC 같은 시스템 반도체에서 정보 저장 역할을 하는 메모리 모듈을 일컫는다. 주로 사용되는 것은 플래시를 기반으로 한 e플래시다.

그러나 e플래시는 데이터를 기록할 때 앞서 저장된 것을 먼저 삭제하는 과정을 거치기 때문에 속도가 느린 단점이 있다.

삼성전자의 28나노 FD-SOI eM램 제품은 데이터 기록시 삭제 과정이 필요없으며 기존 e플래시보다 약 1000배 빠른 쓰기 속도를 제공한다. 비휘발성 특징 덕분에 전원이 꺼진 상태에서도 저장된 데이터가 유지돼 대기 전력 소모를 줄일 수도 있다.

이상현 파운드리사업부 전략마케팅팀 상무는 "이미 검증된 삼성 파운드리의 로직 공정에 eM램을 확대 적용해 차별화된 경쟁력과 뛰어난 생산성을 제공함으로써 고객과 시장의 요구에 대응해갈 것"이라고 말했다.

삼성전자는 연내에 1Gb(기가비트) eM램 테스트칩 생산을 시작하고 내장형 메모리 솔루션 확대를 통해 파운드리 경쟁력을 높여나갈 방침이다.

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