AI 시대 '전력반도체' 키운다…산업부, 차세대 전력반도체 포럼 개최
SiC·GaN 기반 화합물 전력반도체 기술 로드맵 논의
- 나혜윤 기자
(세종=뉴스1) 나혜윤 기자 = 산업통상부는 17일 '차세대 전력반도체 포럼'을 열고 AI 시대 반도체 산업 경쟁력 강화를 위한 전력반도체 기술개발 방향과 산업 생태계 구축 방안을 논의했다.
이번 포럼은 정부가 최근 발표한 'AI 시대, 반도체 산업전략'의 세부 과제를 구체화하기 위한 자리로, SiC·GaN 등 차세대 화합물 전력반도체를 중심으로 수요 연계형 연구개발(R&D)과 인프라 조성, 제도적 지원 방안이 집중적으로 다뤄졌다.
산업부에 따르면 차세대 전력반도체는 Si(실리콘) 대비 고온·고전압에서 효율이 높은 화합물 소재(SiC(탄화규소), GaN(질화갈륨) 등)를 활용한 반도체로, 첨단산업 핵심부품(AI 데이터센터·전기차·HVDC 등)에 활용될 것으로 전망된다.
추진단은 전력반도체 밸류체인별 앵커기업·참여기업·관련 기관 전문가로 구성됐으며 차세대 전력반도체 기술로드맵 수립을 통해 차세대 전력반도체 개발과 제품 양산으로 이어질 수 있는 수요 연계형 R&D를 기획할 예정이다. 또 정례적인 포럼 개최를 통해 지역별 핵심거점 중심 전력반도체 인프라 구축 논의와 함께 국민성장펀드 및 반도체 특별법 운용 등 제도적 지원이 필요한 분야에 대해 각계각층의 의견을 수렴하는 자문 역할을 담당할 계획이다.
산업부 관계자는 "첨단 산업에서는 반도체의 연산 능력도 중요하지만, 이제는 전력 효율과 내구성도 산업의 경쟁력을 좌우하는 핵심 요소가 되었다"면서 "2030년까지 화합물 전력반도체 기술자립률과 국내 생산비중을 2배 확대할 수 있도록 산·학·연·관의 정례적인 소통 채널을 강화해 정책 역량을 집중할 계획"이라고 밝혔다.
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