IPO로 실탄 장전 창신메모리, 7조 투자…삼전닉스 HBM4 맹추격

(서울=뉴스1) 정은지 기자 = 기업공개(IPO)를 통해 대규모 자금 조달에 성공한 중국 최대 D램 업체 창신메모리(CXMT)가 7조원 규모의 대규모 투자를 단행하며 HBM(고대역폭메모리) 경쟁력 확보에 박차를 가한다.

29일 증권일보 등 중국 현지 언론에 따르면 CXMT는 전날 밤 349억 위안(약 7조 707억 원) 규모의 신규 프로젝트 2건을 투자·건설할 예정이라고 공시했다.

이 가운데 249억 위안은 안후이성 허페이시 경제기술개발구 신차오 과학기술 혁신 시범구의 12인치 메모리 웨이퍼 제조기지 기술 연구개발 프로젝트에 투입된다.

전체 투자액의 93%에 달하는 223억 9800만 위안은 설비 구입비로 책정됐다.

프로젝트의 총 건설 기간은 30개월이다. CXMT는 "주로 기술 연구개발에 사용된다"며 "제품과 공정 기술을 개선해 저장 밀도와 전력 소모 제어 성능을 향상하고 신제품 출시를 가속할 것"이라고 밝혔다.

나머지 108억 위안은 총 37개월의 건설 기간이 소요되는 웨이퍼 후공정 테스트 2기 프로젝트에 배정한다. D램 메모리 칩의 테스트와 모듈 조립을 위한 공장 1곳을 건설하는 내용도 포함됐다.

회사 측은 "생산능력이 지속적으로 향상되고 제품 종류가 늘어남에 따라 향후 외부 패키징·테스트 업체의 생산능력 및 신규 투자 지원 인프라 부족 문제에 직면할 수 있다"며 "테스트 생산능력을 유연하게 조정해 D램 테스트 비용을 낮추고 종합반도체기업(IDM) 모델을 고도화할 수 있다"고 설명했다.

CXMT의 이번 대규모 투자는 HBM 생산능력 확대를 위한 포석으로 해석된다. CXMT는 이미 HBM3E 개발·생산 단계에 진입한 것으로 알려졌다.

현지 언론은 "단순히 웨이퍼 제조 생산능력을 확충하는 데 그치지 않고 기술 연구개발과 후공정 테스트 분야를 동시에 강화하는 데 자금이 투입된다"며 "D램 공정의 고도화를 추진하는 동시에 후공정 테스트 역량을 보강해 산업망 통합을 강화할 것"이라고 분석했다.

CXMT가 7조원이 넘는 대규모 투자에 나설 수 있었던 것은 지난 7월 IPO를 통해 대규모 자금을 조달했기 때문이다.

CXMT는 상하이 커촹반 상장을 통해 초과배정 옵션까지 포함해 최대 663억 1000만 위안을 조달했다.

당초 회사 측은 295억 위안을 조달해 메모리 웨이퍼 제조 양산라인 기술 업그레이드와 D램 기술 고도화 등에 투입할 계획이라고 밝혔다.

그러나 실제 IPO를 통해 368억 위안이 넘는 자금을 추가로 조달하면서 투자 여력이 커졌다.

이번 신규 프로젝트 2건에는 초과 조달 금액의 약 절반에 해당하는 180억 위안이 투입된다. 신규 프로젝트 투자 집행 이후에도 CXMT는 약 188억 위안의 초과 조달 자금을 보유하게 된다.

한편 349억 위안 규모의 프로젝트 투자 계획은 전날 이사회에서 의결됐으며, 향후 주주총회에 상정해 심의할 예정이다.

ejjung@news1.kr