'중국에 반도체 기술 유출' 전 삼성전자 직원 징역 7년 선고

(서울=뉴스1) 문혜원 기자 = 국내 반도체 핵심 기술을 중국 경쟁기업으로 유출한 혐의를 받는 전 삼성전자 직원이 징역 7년을 선고받았다.

서울중앙지법 형사합의28부(부장판사 한대균)는 22일 오후 산업기술의 유출 방지 및 보호에 관한 법률 위반(국가핵심기술 국외 유출 등) 등 혐의를 받는 삼성전자 전 직원 전 모 씨에게 징역 7년을 선고했다.

재판부는 중국 기업에 유출된 PRP(Process Recipe Plan·반도체 핵심 공정 기술) 등이 국가핵심기술에 포함된다고 판단했다. 또 전 씨가 삼성전자 핵심 기술 유출을 공모했다고 인정했다.

재판부는 "이 사건은 결국 대기업은 물론 대한민국까지 손실을 입혔기 때문에 엄한 처벌을 할 수밖에 없다"며 "징역 7년을 선고한다"고 했다.

전 씨는 삼성전자에서 중국 디램(DRAM) 반도체 회사 창신메모리테크놀로지(CXMT)로 이직한 뒤 개발비 1조 6000억 원의 삼성전자 D램 공정 국가 핵심기술을 부정 취득·사용한 혐의를 받는다. CXMT는 중국 지방 정부가 2조 6000억 원을 투자해 설립한 중국 최초의 D램 반도체 회사다.

검찰은 전 씨가 CXMT로 이직하는 과정에서 삼성전자의 D램 반도체 공정 기술을 확보하고 핵심 인력을 영입하는 등 'CXMT D램 반도체 개발 계획'을 수립했다고 봤다. 전 씨는 CXMT로부터 '사인온 보너스'(채용 인센티브) 3억 원, 스톡옵션(주식매수선택권) 3억 원 등 약 6년간 29억 원 상당을 지급받았다.

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