검찰 '중국에 반도체 기술 유출' 前 삼성전자 직원 구속 기소

(서울=뉴스1) 정재민 기자 = 국내 반도체 핵심 기술을 중국 경쟁기업으로 유출한 혐의를 받는 전 삼성전자 직원이 구속 상태로 재판에 넘겨졌다.

서울중앙지검 정보기술범죄수사부(부장검사 안동건)는 2일 산업기술보호법 위반(국가 핵심기술 국외 유출) 등 혐의로 삼성전자 전 직원 전 모 씨(55)를 구속기소 했다고 밝혔다.

앞서 검찰은 지난달 14일 법원에서 전 씨에 대한 구속영장을 발부받아 신병을 확보했다.

전 씨는 삼성전자에서 중국 D램 반도체회사 창신 메모리테크놀로지(CXMT)로 이직한 뒤 개발비 1조 6000억 원의 삼성전자의 D램 공정 국가 핵심기술을 부정 취득·사용한 혐의를 받는다. CXMT는 중국 지방 정부가 2조 6000억 원을 투자해 설립한 중국 최초의 D램 반도체 회사다.

전 씨는 지난해 1월 같은 혐의로 구속기소돼 1심에서 징역 7년, 벌금 2억 원을 선고받은 삼성전자 부장 출신 김 모 씨와 이직 과정에서 삼성전자의 D램 반도체 공정 기술 확보, 핵심 인력 영입을 통한 창신메모리반도체의 D램 반도체 개발계획을 수립했다.

이후 위장회사를 통한 입사, 체포 시 암호 전파 등 수사에 대비해 범행을 저질렀다. 실제 출국금지 또는 체포 시 하트 네 개를 단체 대화방에 남기도록 했다.

전 씨는 창신메모리반도체로부터 사인온 보너스(sign-on bonus) 3억 원, 스톡옵션 3억 원 등 약 6년간 29억 원 상당을 지급받았고 이 사건 유출로 인한 삼성전자의 지난해 추정 매출감소액만 수조 원에 달하는 등 최근 수십조 원의 손해가 발생할 것으로 예상된다.

검찰은 김 씨에 대한 추가 수사를 통해 이번 사건을 확인했다. 검찰은 삼성전자 자료를 유출한 공범에 대해선 인터폴을 통해 추적 중이다.

검찰 관계자는 "앞으로도 피해 기업과 국가 경제를 위협하는 기술 유출 범죄에 엄정 대응하도록 하겠다"고 밝혔다.

ddakbom@news1.kr