값비싼 질화갈륨(GaN) 반도체 '무한 복사'시대 열렸다

(광주=뉴스1) 조영석 기자 = 차세대 전력반도체로 주목받는 질화갈륨(GaN) 반도체를 산업현장에서 복사하듯 생산할 수 있는 길이 열렸다. 값비싼 질화갈륨(GaN) 반도체를 매우 저렴한 가격에 양산할 수 있을 것으로 기대된다.

광주과학기술원(GIST)은 전기전자컴퓨터공학부 이동선 교수 연구팀이 금속유기화학 기상증착법만으로 질화갈륨(GaN) 반도체 원격 호모(homo)-에피택시기술을 개발했다고 14일 밝혔다.

이동선 교수팀의 에피택시 기술을 응용한 GaN 원격 호모-에피택시는 GaN 웨이퍼 위에 2차원 물질을 형성한 후 웨이퍼와 동일한 품질의 GaN 반도체를 성장시켜 복사하듯 계속 생산할 수 있다.

이 교수는 "이번 연구는 그동안 불가능하다고 여겨졌던 'GaN 원격 호모-에피택시'기술을 구현한 것으로 아직은 초기 단계이지만 이 기술을 토대로 향후 디스플레이에 적용되는 마이크로 LED 및 차세대 GaN 전력 반도체 시장에서 기술을 선도할 수 있을 것"이라고 기대했다.

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