충남대-성균관대 공동연구팀, 차세대 '초박막 메모리' 신기술 개발

(대전=뉴스1) 이동원 기자 = 충남대학교 신소재공학과 최민섭 교수와 성균관대학교 유원종, 강보석 교수 공동 연구팀이 한 번의 산화 공정으로 2차원 나노산화막 기반 플로팅 게이트 구조를 형성하는 기술과 이를 활용한 메모리 소자 제작 기술을 개발했다고 12일 밝혔다. 이번 연구 결과는 나노분야 상위 저널인 'ACS Nano'(IF: 16.1)에 지난 11월 4일 자로 게재됐다.

공동 연구팀은 이번 연구를 통해 2차원 소재에 단 한 번의 UV-오존 처리 공정만으로 나노산화막과 플로팅 게이트를 동시에 형성, 초박막 플로팅 게이트 구조를 갖는 메모리 소자를 개발했다. 해당 소자는 5nm 이하의 매우 얇은 터널링 장벽 두께에도 불구하고 넓은 메모리 윈도우와 우수한 전기적 전하 포획 안정성을 보였다.

이 기술은 ALD(원자층증착) 등 복잡하고 고비용의 증착 공정 없이 플로팅 게이트 구조를 형성할 수 있어 비용 절감 효과가 크다. 또한, 초박막 나노소재에도 적용 가능하여 향후 3D 적층 메모리 개발에 큰 파급 효과를 가져올 것으로 기대된다.

한편, 충남대 최민섭 교수는 한국연구재단의 지원을 받아 나노산화막 기반 인공지능(AI) 메모리, 고성능 수직형 트랜지스터, 반도체 지능화 공정 등 차세대 반도체 소자 및 공정 기술 개발에 지속해서 매진하고 있다.

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