SK하이닉스, 최우석 서울대 교수 등 산학연구과제 우수 발명 포상

최우수상 1건·우수상 1건·장려상 3건 등 총 5건 수상

SK하이닉스가 16일 경기 이천캠퍼스에서 개최한 '2026 산학연구과제 우수발명 시상식'에서 수상자들이 기념 촬영을 하고 있다. 2026.9.16 (SK하이닉스 뉴스룸 제공)

(서울=뉴스1) 정윤미 기자 = SK하이닉스(000660)는 16일 경기 이천캠퍼스 영빈관에서 '2026 산학연구과제 우수발명 시상식'을 개최했다고 밝혔다.

2013년부터 시작된 이 행사는 SK하이닉스가 산학협력 연구자의 사기 진작과 우수 특허 개발을 장려하기 위해 대학과 기업이 함께 수행한 연구 과정에서 출원된 특허 중 우수 발명을 선정해 격려하는 자리다.

올해는 지난해 출원된 산학특허 26건을 대상으로 엄정한 심사를 진행해 최우수상 1건, 우수상 1건, 장려상 3건 등 총 5건이 수상의 영예를 안았다.

최우수상에는 최우석 서울대 교수가 발명한 '차세대 다중 레벨 신호 전송을 위한 회로 설계 관련 특허'가 선정됐다.

최 교수는 연산 칩과 메모리 사이에서 데이터를 더 빠르고 적은 에너지로 주고받게 하는 통신 회로 기술을 개발해 고속 메모리 인터페이스에서 발생하는 전원 잡음 문제를 해결한 성과를 인정받았다.

김형준 연세대 교수가 발명한 '차세대 메모리용 전극 물질 및 소자 특성 관련 특허'는 우수상을 받았다.

차세대 고집적 메모리에 쓰이는 전극의 특성을 단일 공정 변수만 활용해 제어하는 기술로, 공정 조건에 따른 전극의 물성과 소자 특성에 대한 정량적 데이터가 구체적으로 제시돼 실제 제품 개발에 즉시 적용 가능한 완성도를 갖춘 점이 높은 평가를 받았다.

장려상에는 △황철성 서울대 교수의 '수직형 SOM 셀 물질 증착을 위한 고온 ALD/CVD 공정 특허' △최병준 서울과학기술대 교수의 '차세대 메모리용 고온 ALD/CVD 전구체 및 공정 특허' △한재덕 한양대 교수의 'UFS 5.0 및 차세대 M-PHY 고속 인터페이스 회로 특허'가 뽑혔다.

시상식에는 차선용 미래기술연구원장, 채희석 부사장(법무·특허 부문장), 김재범 부사장(R&D전략 담당), 김연수 부사장(특허 담당) 등 기술 및 특허 부문 핵심 임원진과 실무진이 참여해 수상자들을 축하했다.

younme@news1.kr