삼성전자, 400단 넘은 10세대 V낸드 공개…AI 스토리지 정조준

(서울=뉴스1) 정윤미 기자 = 삼성전자가 400단 이상 초고적층 구조를 구현한 10세대 V낸드 'V10 BV-낸드'를 앞세워 차세대 인공지능(AI) 데이터센터용 저장장치(storage·스토리지) 시장 공략에 나섰다.

단순 메모리 셀을 더 높게 쌓는데 그치지 않고 비트 밀도(Bit Density·단위 면적장 저장되는 비트수)와 데이터 입출력(I/O) 성능을 높이고 동시에 전력 소비를 낮추는 기술을 적용해 AI 데이터센터에 필요한 고용량·고성능·저전력 낸드플래시 구현에 초점을 맞췄다.

삼성전자는 지난 4~6일(현지시간) 미국 캘리포니아주 산타클라라 컨벤션센터에서 열린 'FMS(Future of Memory and Storage) 2026'에 참가해 400단 이상의 적층 구조를 구현한 'V10 BV-낸드'를 공개했다고 31일 밝혔다.

V10은 400단 이상의 워드라인(WL)을 구현한 10세대 V낸드로, 전 세대인 V9 대비 비트 밀도를 58% 이상 높인 것이 특징이다. 같은 면적에서 저장할 수 있는 데이터용량을 높인 것이다.

데이터처리 성능도 이전 대비 33% 이상 향상됐다. V10의 I/O 속도는 4.8기가비피에스(Gbps) 이상으로 V9 대비 33% 이상 향상됐다. 전력 소모는 V9 대비 25% 이상 줄였다.

AI 시스템에서 생성·처리하는 데이터가 급격히 증가하면서 스토리지에는 더 높은 용량과 I/O 대역폭이 요구된다. 데이터센터에서는 전력 소비가 전체 시스템 효율성과 총소유비용(Total Cost of Ownership·TCO)을 결정하는 요소가 됐다.

이에 따라 더 높은 비트 밀도를 구현하면서 성능과 전력 효율까지 함께 개선하는 것이 반도체 업계의 과제로 부상했다.

삼성전자는 V10을 기획하면서 단순히 더 많은 단수를 쌓거나 용량을 높이는데 그치지 않고 고집적·고성능·저전력 동시 달성을 핵심 방향으로 설정했다.

V10의 기술 혁신은 크게 2가지다. 하나는 400단 이상 초고층 V낸드 아키텍처 구현을 위한 3스텍(Stack) 기반 첨단 HARC(High Aspect Ratio) Merge 기술이다. V낸드의 단수가 증가하면서 함께 늘어날 수 있는 공정스텝과 제조비용을 개선하고 공정 난이도를 극복하고자 개발됐다.

다른 하나는 두 장 이상의 웨이퍼를 3D(수직)로 접합해 고집적 낸드를 구현한 '웨이퍼 본딩' 기술이다. 두 개의 웨이퍼에서 셀(cell)과 페리(Peri·주변회로)를 독립적으로 제작한 뒤 본딩하는 기술을 개발해 페리 소자의 성능을 극대화할 수 있었다. 이러한 고성능 소자를 설계적으로 활용한 끝에 고성능·저전력 제품이 탄생하게 됐다.

삼성전자는 V10이 128테라바이트(TB) 초고용량 솔리드스테이트드라이브(SSD)와 4.8Gbps 이상의 I/O 성능을 통해 차세대 PCIe Gen7 SSD 등 AI 인프라에서 요구되는 고성능·고용량 스토리지를 구현하는 핵심 낸드 솔루션이 될 것으로 기대하고 있다.

삼성전자 관계자는 "V10의 기술적 혁신은 단순히 낸드 자체의 성능 향상에 그치지 않고, AI 인프라에서 요구되는 용량, 성능, 전력효율을 함께 향상시켜 고객에게 실질적인 가치를 제공한다는 점에서 의미가 있다"고 밝혔다.

younme@news1.kr