삼성전자, '절치부심 HBM' 화려한 부활…메모리 왕좌 탈환 예고

(서울=뉴스1) 박주평 기자 = 삼성전자(005930)가 다음 달부터 6세대 고대역폭메모리(HBM4)을 출하하는 것을 시작으로 올해 HBM 매출을 전년대비 3배 끌어올릴 것이라고 예고했다. 이에 따라 잠시 SK하이닉스에 내줬던 메모리 왕좌를 탈환할 수 있을 것으로 예상된다.

삼성전자는 29일 진행한 지난해 4분기 실적발표 콘퍼런스콜에서 "올해 HBM 매출은 전년 대비 3배 이상 대폭 개선될 전망"이라며 "공급 확대 노력에도 불구하고 주요 고객사의 2026년 수요는 공급 규모를 넘어섰다"고 밝혔다.

특히 삼성전자는 SK하이닉스나 마이크론 대비 월등한 생산능력을 기반으로 메모리 가격 상승의 최대 수혜를 입었다는 분석이 나온다.

김재준 메모리사업부 전략마케팅실장(부사장)은 이날 실적발표 콘퍼런스 콜에서 "D램 평균판매가격(ASP)는 시장 전반의 가격 상승과 서버향 고부가가치제품 중심 믹스운영으로 전 분기 대비 40% 수준 상승했다"며 "낸드 ASP는 QLC 판매 확대 등으로 전 분기 대비 20% 중반 상승했다"고 설명했다.

HBM3E까지 상대적으로 경쟁력이 떨어졌다는 평가를 받은 삼성전자는 차세대 제품인 HBM4 양산을 계기로 본래의 기술력 우위를 확고히 되찾는다는 계획이다.

시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면 삼성전자는 작년 1분기 사상 처음으로 SK하이닉스에 메모리 매출 1위를 내줬고 3분기까지 2위에 머물렀다. 지난해 DS 부문 연간 영업이익도 24조 9000억 원으로 SK하이닉스 연간 영업이익 47조 2063억 원에 못 미쳤다. 다만 4분기부터는 생산능력 우위에 힘입어 1위를 탈환한 것으로 추정된다.

삼성전자는 올해에도 지속되는 메모리 수요 강세에 대응해 차별화된 성능의 HBM4를 앞세워 실적 경신을 지속한다는 방침이다. 김재준 부사장은 "HBM4에 대한 고객사 요구 성능이 높아졌지만, 재설계 없이 지난해 샘플 공급 이후 순조롭게 고객평가를 진행해 퀄 테스트 완료 단계"라며 "고객들로부터 차별화된 성능 경쟁력을 확보했다는 피드백을 받았으며, 이를 바탕으로 2월부터 업계 최고 속도인 11.7Gbps 제품을 포함한 HBM4 양산 출하가 예정돼 있다"고 말했다.

삼성전자는 경쟁사보다 한 단계 앞선 10나노급 6세대(1c) D램 기반으로 HBM4를 설계해 업계 최고 성능을 구현했다는 평가를 받는다. 나아가 삼성전자는 7세대 HBM인 HBM4E 샘플도 연내 고객사에 샘플을 제공하며 기술 리더십을 선도해 나간다는 계획이다

또 시장의 관심이 높은 HBM 16단 제품에 대해서도 양산 필요성과 별개로 이미 패키징 기술을 확보했고, 고객 요구사항 변동에 따라 적기 대응할 수 있는 수준이라고 자신감을 드러냈다. 차세대 고단 적층기술인 하이브리드 본딩 역시 샘플을 고객사에 보내 협의를 시작했고, HBM4 단계에서 일부 사업화할 계획이라고 설명했다.

기존에 D램을 쌓을 때는 납과 같은 돌기(범프)를 사용하는데, 하이브리드 본딩은 범프 없이 구리와 구리를 직접 접합하기 때문에 간격을 1㎛ 이하로 줄일 수 있어 초고층 적층에 유리하다. 데이터 전송 대역폭도 비약적으로 높일 수 있으며, 발열과 전력 소모도 감소한다.

삼성전자는 이런 기술 우위를 바탕으로 올해 고객사 공급을 확대해 HBM 매출이 전년 대비 3배 이상 개선될 것으로 전망했다.

최고재무책임자(CFO) 박순철 부사장은 "DS 부문은 로직부터 메모리, 파운드리 및 선단 패키징까지 모두 갖춘 원스톱 설루션이 가능한 세계 유일의 반도체 회사로서 강점을 바탕으로 AI 반도체 시장 주도권을 놓치지 않겠다"며 "메모리에서는 월등한 기술 경쟁력 우위를 회복하겠다"고 강조했다.

jupy@news1.kr