SK하닉 부사장 "반도체 기술, 新변곡점 온다…AI 협업 생태계 구축

"D램도 3D 적층하고 낸드 신소재 등장…기술 난도 수직상승"
"AI 기반 협업, 새로운 해법 될 수 있어…AI R&D로 기술 한계 극복"

이성훈 SK하이닉스 R&D 공정담당 부사장이 11일 서울 강남구 코엑스에서 열린 세미콘 코리아 2026에서 '메모리 기술의 전환점'을 주제로 기조연설을 하고 있다. 2026.2.11 ⓒ 뉴스1 안은나 기자

(서울=뉴스1) 최동현 기자 = 이성훈 SK하이닉스(000660) 연구개발(R&D) 공정 담당 부사장은 "10년 뒤 다가올 반도체 기술 변곡점을 극복하기 위해선 인공지능(AI)과 결합한 반도체 협업 생태계를 구축해야 한다"고 11일 밝혔다.

이 부사장은 이날 서울 강남구 코엑스에서 열린 '세미콘 코리아 2026' 기조연설에서 "현재 메모리 업계에서 D램은 10나노(㎚)급 초미세 공정에 진입했고 낸드는 100단 이상 초고적층 경쟁으로 인해 기술 난도가 급격히 올라가고 있다"며 이같이 말했다.

반도체도 수요와 공급이라는 시장 원리가 작동하는 산업이지만, AI 시대가 열리면서 기술 진전의 속도가 유례없이 빨라졌다.

이 부사장은 "반도체 산업의 특징은 '타임 투 마켓'(time to market)이다. 제때 좋은 제품을 시장에 푸시(공급)하는 것이 메모리 반도체의 경쟁력"이라면서도 "최근 기술 난이도의 상승 곡선이 굉장히 가파르게 올라가고 있다"고 했다.

SK하이닉스의 해법은 '테크 플랫폼' 전략이었다. '기술 난이도 수준'(LoD)을 기준점 삼아 단일 제품 중심 개발에서 여러 세대 제품에 공통 적용할 수 있는 공정 모듈을 구축하는 방식이다. SK하이닉스가 고대역폭메모리(HBM) 선행기술을 주도한 배경에도 테크 플랫폼 노하우가 있었다는 게 그의 설명이다.

하지만 최근에는 이 전략도 한계가 드러나고 있다. 이 부사장은 "앞으로의 10년은 지금까지 없었던 10년을 맞이하게 될 것"이라며 기술 변곡점에 대응하기 위해서는 반도체 구조와 소재 측면에서의 근본적인 혁신이 필요하다고 강조했다.

실제 D램은 미세화 공정이 원자 수준까지 도달하면서 물리적 한계에 직면했고, 칩을 수직으로 적층하는 '3D D램' 시대로 전환을 시작했다. 일찌감치 3D 구조를 적용한 낸드플래시도 적층 단수가 비약적으로 높아지면서 금속 배선 신소재 '몰리브덴'(Molybdenum)이 등장하는 등 새 국면에 진입했다.

이 부사장은 AI 기반의 R&D 전환과 협업 생태계 구축을 제안했다. 그는 "AI 기반 협업은 기존과는 차별화된 새로운 해결책이 될 수 있다"며 "AI 모델을 활용하면 기존 방식 대비 광범위한 물질을 단기간에 검토할 수 있고 최소한의 실험만으로도 최적의 공정 조건을 확보할 수 있다"고 했다.

이어 "AI 기반 R&D의 핵심 요소인 데이터 관리와 AI 모델은 한 기업의 숙제가 아닌 반도체 생태계가 함께 해결해야 할 공동 과제"라며 "SK하이닉스는 협력사와 공유 가능한 AI 생태계를 구축하고 기존 협업 체계와 유기적으로 결합해 기술적 한계를 극복하겠다"고 덧붙였다.

dongchoi89@news1.kr