SK하닉, 발열 47% 낮춘 '모바일 D램' 최초 개발 "스마트폰 성능↑"

(서울=뉴스1) 최동현 기자 = SK하이닉스(000660)는 업계 최초로 신소재 'High-K EMC(에폭시 몰딩 컴파운드)'를 적용해 발열을 47% 줄인 고방열 모바일 D램 제품을 개발, 고객사에 공급을 시작했다고 28일 밝혔다.

EMC는 반도체를 밀봉해 수분·열·충격·전하 등 외부 충격에서 보호하고 열을 방출하는 반도체 후공정 필수 재료다. High-K EMC는 열전도 계수(K)가 높은 물질을 활용해 열전도도를 낮춘 신소재다.

최신 플래그십 스마트폰은 모바일 AP 위에 D램을 적층하는 PoP(적층 패키지) 방식을 쓴다. 이 공법은 데이터 처리 속도를 높이지만 모바일 AP에서 발생한 열이 D램 내부에 누적되면서 전체적인 스마트폰 성능 저하를 초래한다.

SK하이닉스는 이 문제를 해결하기 위해 D램 패키지를 감싸는 핵심 소재인 EMC의 열전도 성능 향상에 주력했다. 기존에 EMC의 소재로 사용하던 실리카(Silica)에 알루미나(Alumina)를 혼합 적용한 신소재인 High-K EMC를 개발한 것이다.

High-K EMC를 적용한 고방열 모바일 D램은 열전도도를 기존 대비 3.5배 수준으로 대폭 향상시켰다. 그 결과 열이 수직으로 이동하는 경로의 열 저항을 기존보다 절반 수준인 47% 개선했다.

향상된 방열 성능은 스마트폰의 성능 개선과 소비전력 절감을 통해 배터리 지속시간, 제품 수명 연장에도 기여한다. 이러한 효과로 모바일 업계에서 이 제품에 대한 관심과 수요가 높아질 것으로 전망된다.

SK하이닉스는 "온디바이스 인공지능(AI) 구현을 위한 데이터 고속 처리 시 발생하는 발열이 스마트폰 성능 저하의 주요 원인이 되고 있다"며 "이번 제품으로 고사양 플래그십 스마트폰의 발열 문제를 해결해 글로벌 고객사들로부터 높은 평가를 받고 있다"고 자신했다.

dongchoi89@news1.kr