SK하이닉스, 내달부터 '6세대 D램' 양산 돌입…세계 최초

차세대 HBM 등 첨단 제품에 확대 적용

세계 최초로 10나노급 6세대(1c) 미세공정을 적용한 SK하이닉스의 16Gb DDR5 D램.(SK하이닉스 제공) ⓒ News1 한재준 기자

(서울=뉴스1) 한재준 기자 = SK하이닉스(000660)가 내달 세계 최초로 10나노급 6세대(1c) D램 양산에 돌입한다.

17일 관련업계에 따르면 SK하이닉스는 내달부터 10나노급 6세대 D램을 적용한 16기가비트(Gb) 더블데이터레이트(DDR)5 생산을 시작한다.

10나노급 D램 공정 기술은 △1x(1세대) △1y(2세대) △1z(3세대) △1a(4세대) △1b(5세대) 순으로 발전해 왔는데 6세대인 1c가 가장 최신 기술이다.

앞서 SK하이닉스는 지난해 8월 1c 미세공정을 적용한 16Gb DDR5를 세계 최초로 개발한 바 있다.

해당 제품은 전 세대 대비 동작속도가 11% 빨라졌으며 전력 효율은 9% 이상 개선됐다. 6세대 D램을 데이터센터에 적용하면 전력 비용을 이전보다 최대 30%까지 줄일 수 있다는 게 SK하이닉스 측 설명이다.

SK하이닉스가 6세대 D램 양산에 돌입, 고객사 공급을 시작하면서 경쟁사인 삼성전자와 마이크론과의 기술 격차를 벌렸다는 평가가 나온다.

SK하이닉스는 6세대 고대역폭메모리(HBM4) 등 차세대 HBM 제품군과 LP(저전력)DDR6, GDDR7 등 첨단 D램에 6세대 기술을 확대 적용할 예정이다.

한편 SK하이닉스는 6세대 D램 양산 시기와 관련해 "확인해 줄 수 없다"고 밝혔다.

hanantway@news1.kr