서울시립대 학생 논문 SCI급 학술지 실려

서울시립대는 학부 졸업을 앞둔 학생의 논문이 SCI급 저널에 게재된다고 20일 밝혔다.

시립대에 따르면 이 대학 공과대학 전자전기컴퓨터공학부 남효현씨(27)가 쓴 논문이 미국전기전자학회(IEEE)의 반도체 소자 분야 세계적 저널인 'Electron Device Letters'지에 최종 게재 허락을 받았다.

남씨의 논문은 '강유전체 금속게이트 기술을 이용한 22㎚ 및 20㎚ 이하급 반도체 소자의 게이트 전극 내의 일함수 특성화를 위한 새로운 파라미터 제안 및 연구'를 주제로 했다.

시립대 관계자는 "남씨는 논문에서 트랜지스터 게이트 전극에 사용되는 특정재료에 국한되지 않고 현재 반도체 소자에 사용 중인 다양한 게이트 전극 재료에 범용으로 활용 가능하고 금속게이트 재료 개발의 로드맵이 될 새로운 파라미터를 세계 최초로 제안했다"고 밝혔다.

남씨를 지도한 신창환 교수는 "남씨는 지난 1년간 연구실에서 밤늦은 시각까지 혼자 남아 열심히 연구를 수행했다"며 "학부생이 이처럼 탁월한 연구성과를 낸 건 굉장히 놀라운 일"이라고 평가했다.

남씨는 "주도적으로 수행한 연구성과가 국제 학술지에서 인정받게 돼 기쁘다"며 "앞으로 한국 반도체 산업을 이끌 수 있는 학자적 공학도가 되는 것이 꿈"이라고 전했다.

남씨는 4월22일 대만 실리콘밸리에서 개최되는 'International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications'에서 20㎚급 차세대 반도체 소자 구조에 관한 연구 논문을 발표할 예정이다.

남씨는 22일 학위수여식에서 총장특별상을 받고 동 대학원 석사과정에 진학한다.

hm3346@news1.kr